材料研发每个国家都投入的非常的资金和人才
，世界上主要氮化铝材料研发国家目前发展的水平都有所不同
，美国和日本的研发水平是目前氮化铝取得最高成就

。氮化铝材料在光电领域扮演非常重要的角色
，那么目前各个国家氮化铝材料发展水平如何呢？

我们都知道AlN材料是Ⅲ族氮化物
，具有0.7～3.4eV的直接带隙
，可以广泛应用于光电子领域

。与砷化镓等材料相比
，覆盖的光谱带宽更大
，尤其适合从深紫外到蓝光方面的应用
，同时Ⅲ族氮化物具有化学稳定性好、热传导性能优良、击穿电压高、介电常数低等优点
，使得Ⅲ族氮化物器件相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件
，可以在更高频率、更高功率、更高温度和恶劣环境下工作
，是最具发展前景的一类半导体材料

。

AlN材料具有宽禁带(6.2eV)
，高热导率(3.3W/cm·K)
，且与AlGaN层晶格匹配、热膨胀系数匹配都更好
，所以AlN是制作先进高功率发光器件(LED
，LD)、紫外探测器以及高功率高频电子器件的理想衬底材料

。

近年来
，GaN基蓝、绿光LED、LD、紫外探测器以及大功率高频HEMT器件都有了很大发展

。在AlGaNHEMT器件方面
，AlN与GaN材料相比有着更高的热导率
，而且更容易实现半绝缘；与SiC相比
，则晶格失配更小
，可以大大降低器件结构中的缺陷密度
，有效提高器件性能

。AlN是生长Ⅲ族氮化物外延层及器件结构的理想衬底
，其优点包括：与GaN有很小的晶格失配和热膨胀系数失配；化学性质相容；晶体结构相同
，不出现层错层；同样有极化表面；由于有很高的稳定性并且没有其它元素存在
，很少会有因衬底造成的沾污

。AlN材料能够改善器件性能
，提高器件档次
，是电子器件发展的源动力和基石

。

目前国外在AlN单晶材料发展方面
，以美国、日本的发展水平为最高

。美国的TDI公司是目前完全掌握HVPE法制备AlN基片技术
，并实现产业化的唯一单位

。TDI的AlN基片是在〈0001〉的SiC或蓝宝石衬底上淀积10～30μm的电绝缘AlN层

。主要用作低缺陷电绝缘衬底
，用于制作高功率的AlGaN基HEMT

。目前已经有2、3、4、6英寸产品

。日本的AlN技术研究单位主要有东京农工大学、三重大学、NGK公司、名城大学等
，已经取得了一定成果
，但还没有成熟的产品出现

。另外俄罗斯的约菲所、瑞典的林雪平大学在HVPE法生长AlN方面也有一定的研究水平,俄罗斯NitrideCrystal公司也已经研制出直径达到15mm的PVTAlN单晶样品

。在国内
，AlN方面的研究较国外明显滞后
，一些科研单位在AlNMOCVD外延生长方面
，也有了初步的探索
，但都没有明显的突破及成果

。